اسلامی و گروسی در وین دیدار کردند

CC BY 4.0 / Tasnim News Agancy / دیدار گروسی با اسلامی
دیدار گروسی با اسلامی - اسپوتنیک ایران  , 1920, 26.09.2023
اشتراک
"محمد اسلامی" رئیس سازمان انرژی اتمی ایران که برای شرکت در کنفرانس عمومی آژانس بین المللی انرژی اتمی به وین سفر کرده است روز دوشنبه در حاشیه این اجلاس، با رافائل گروسی دیدار کرد.
به گزارش اسپوتنیک به نقل از مهر، مدیرکل آژانس بین المللی انرژی اتمی با انتشار پیامی در شبکه اجتماعی ایکس (توئیتر سابق) این ملاقات را مهم توصیف کرد و نوشت: "من تمایل آژانس را برای تعامل و پیشرفت ملموس بر اساس بیانیه 4 مارس، به منظور ارائه تضمین‌های معتبر مبنی بر اینکه برنامه هسته‌ای ایران منحصراً صلح‌آمیز است، مورد تاکید قرار دادم".
آژانس بین المللی انرژی اتمی و سازمان انرژی اتمی ایران اسفند سال گذشته، در پی سفر دو روزه رافائل گروسی به تهران توافقاتی را در خصوص حل‌وفصل ادعاهای سیاسی پادمانی علیه برنامه صلح‌آمیز هسته‌ای ایران صورت دادند. بر اساس این توافق، ایران به صورت داوطلبانه به آژانس اجازه داد تا چنانچه مقتضی باشد و در چارچوب قانون راهبردی مجلس (قانون اقدام راهبردی برای لغو تحریم‌ها و صیانت از منافع ملت ایران) فعالیت‌های راستی آزمایی و نظارت بیشتری را اجرا کند.
جمهوری اسلامی ایران ضمن رد ادعاهای مطرح شده همواره تاکید کرده است که تعهدات کشورها در حوزه پادمان نامحدود نیست. محمد اسلامی ساعاتی پیش طی سخنانی در کنفرانس عمومی آژانس تصریح کرد: "جمهوری اسلامی ایران، همان گونه که تاکنون نشان داده به تعهدات خود براساس موافقت نامه پادمان جامع (CSA-INFCIRC/214) پایبند است و تمام تلاش خود را به کار گرفته تا آژانس قادر باشد به راحتی فعالیت‌های راستی آزمایی خود را در ایران ادامه دهد".
وی گفت: "تمامی مواد و فعالیت‌های هسته‌ای ایران به طور کامل اظهار و توسط آژانس راستی آزمایی شده است، لذا جمهوری اسلامی ایران قویاً انتظار دارد که آژانس فعالیت‌های راستی آزمایی ایران را براساس اصول بی‌طرفی، حرفه‌ای و واقع‌بینانه گزارش نماید. جمهوری اسلامی ایران با بیشترین آمار بازرسی پادمانی از برنامه صلح آمیز هسته‌ای خود سابقه مثال زدنی در همکاری با آژانس در این زمینه داشته بنابراین انتظار دارد پرونده "موضوعات باقیمانده" در اسرع وقت با همکاری آژانس مختومه اعلام شود".
نوار خبری
0
loader
بحث و گفتگو
Заголовок открываемого материала