به گزارش اسپوتنیک به نقل از ساینس دیلی، ممریستورها در واقع مقاومت هایی هستند که دارای حافظه بوده و از جنس تایتانات استرانسیم حاوی ناخالصی نیوبوم ساخته می شوند. محققان برای کنترل میزان رسانش ممریستورها از میدان های الکتریکی به شیوه آنالوگ استفاده می کنند. به عبارت دیگر برای کنترل مقاومت ممریستورها از پالس های اختلاف پتانسیل و به منظور بازخوانی جریان الکتریکی در هر حالت از یک ولتاژ ضعیف بهره می گیرند. شدت پالس ها تعیین کننده میزان مقاومت ابزار است. در این تحقیقات مشخص شد نرخ مقاومت حداقل 1000 واحد قابل تشخیص است و می توان تغییرات آن را در طول زمان اندازه گیری کرد.
همچنین مشخص شد مدت زمان پایداری حافظه ممریستور با مدت زمان اعمال پالس های محرک مقاومت ارتباط مستقیم دارد، به گونه ای که با استفاده از پالس هایی با مدت زمان یک تا دو دقیقه، حافظه ممریستور به مدت یک تا چهار ساعت باقی می ماند.
با استفاده از پالس های مختلف می توان رفتار این ابزار را تغییر داد و آن را به نحو مطلوب آموزش داد. این ابزار حافظه و توان پردازشی را به صورت یکجا در اختیار می گذارد و علاوه بر ذخیره اطلاعات، قادر است مانند مغز انسان برخی از اطلاعات را فراموش کند.
تعداد وضعیت های درونی نورون های مغز نامحدود است و بر خلاف بیت های کامپیوتری که در مبنای دو عمل می کنند و تنها دو حالت صفر و یک دارند، نورون های مغز قادرند اطلاعات را به شیوه ای بسیار موثرتر از کامپیوتر پردازش کنند. محققان با انجام این تحقیقات و بهره مندی از نتایج آن یک گام دیگر به ساخت نورون های مصنوعی نزدیک شدند.
